半導體材料裝備單片式硅外延生長爐模型

半導體材料裝備單片式硅外延生長爐模型

半導體材料裝備單片式硅外延生長爐模型

半導體材料裝備單片式硅外延生長爐模型

單片式硅外延生長爐是一種輻射加熱式的、氣體注射式的單晶片處理系統，系統利用化學氣相沉積（CVD）的原理在硅晶片表面生長一層厚度均勻的不摻雜型或摻雜型外延層，適用于直徑分別為6英寸和8英寸的硅晶片。系統生長的外延層厚度可控，其晶體結構與襯底硅晶片相同，屬于同質外延。